DTD743EMT2L
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTD743EMT2L |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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8000+ | $0.1134 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | VMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 150 mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 260 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 115 @ 100mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200 mA |
Grundproduktnummer | DTD743 |
DTD743EMT2L Einzelheiten PDF [English] | DTD743EMT2L PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTD743EMT2LRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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